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BSP299E6327

更新时间： 2024-09-16 14:48:07
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 局域网脉冲光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
9页 167K
描述
Power Field-Effect Transistor, 0.4A I(D), 500V, 4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SOT-223, 4 PIN

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BSP299E6327 技术参数

是否Rohs认证：不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOT-223包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
针数：4Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
风险等级：5.14Is Samacsys：N
其他特性：AVALANCHE RATED雪崩能效等级（Eas）：130 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：500 V最大漏极电流 (ID)：0.4 A
最大漏源导通电阻：4 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G4湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：4
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：255极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：1.6 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

BSP299E6327 数据手册

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BSP 299  
®
SIPMOS Small-Signal Transistor  
• N channel  
• Enhancement mode  
• Avalanche rated  
• V  
= 2.1 ... 4.0 V  
GS(th)  
Pin 1 Pin 2 Pin 3 Pin 4  
G
D
S
D
Type  
V
I
R
DS(on)  
Package  
Marking  
DS  
D
BSP 299  
500 V  
0.4 A  
4 Ω  
SOT-223  
BSP 299  
Type  
Ordering Code  
Tape and Reel Information  
BSP 299  
Q67000-S225  
E6327  
Maximum Ratings  
Parameter  
Symbol  
Values  
0.4  
Unit  
Continuous drain current  
I
A
D
T = 44 °C  
A
DC drain current, pulsed  
I
Dpuls  
T = 25 °C  
1.6  
A
Avalanche energy, single pulse  
E
mJ  
AS  
Ω
I = 1.2 A, V = 50 V, R = 25  
D
DD  
GS  
L = 163 mH, T = 25 °C  
130  
j
Gate source voltage  
Power dissipation  
V
P
± 20  
V
GS  
W
tot  
T = 25 °C  
1.8  
A
Semiconductor Group  
1
Sep-12-1996  
1234567...9

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BSP299E6327 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
BSP324E6327 INFINEON

类似代替

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 		0.4A, 500V, 4ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, SOT-223, 4 PIN
BSP299H6327 INFINEON

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BSP299H6327XUSA1 INFINEON

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