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BSP296E-6327

更新时间： 2024-09-15 20:40:07

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
8页	118K
描述
1A, 100V, 0.8ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, SOT-223, 4 PIN

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BSP296E-6327 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SOT-223	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
针数：	4	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.15	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	100 V
最大漏极电流 (ID)：	1 A	最大漏源导通电阻：	0.8 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-G4
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	4	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	NOT SPECIFIED
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

BSP296E-6327 数据手册

BSP 296

SIPMOS Small-Signal Transistor

• N channel

• Enhancement mode

• Logic Level

• V

= 0.8...2.0V

GS(th)

Pin 1

Pin 2

Pin 3

Pin 4

Type

Package

Marking

V_DS

I_D

R_DS(on)

Ω

BSP 296

100 V

1 A

0.8

SOT-223

BSP 296

Type

Ordering Code

Tape and Reel Information

BSP 296

Q67000-S067

E6327

Maximum Ratings

Parameter

Symbol

Values

Unit

Drain source voltage

Drain-gate voltage

100

DGR

Ω

= 20 k

100

Gate source voltage

ESD Sensitivity (HBM) as per MIL-STD 883

Continuous drain current

Class 1

T = 42 ˚C

DC drain current, pulsed

Dpuls

T = 25 ˚C

Power dissipation

tot

T = 25 ˚C

1.8

Data Sheet

05.99

12 3 4 5 6 7 8

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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BSP296L6433	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 1.1A I(D), 100V, 0.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
BSP296L6433HTMA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 1.1A I(D), 100V, 0.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
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