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BSP296L6327HTSA1

更新时间： 2024-11-04 20:43:15
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 脉冲光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 300K
描述
Power Field-Effect Transistor, 1.1A I(D), 100V, 0.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, PLASTIC PACKAGE-4

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BSP296L6327HTSA1 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
针数：4Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
Factory Lead Time：1 week风险等级：5.62
其他特性：LOGIC LEVEL COMPATIBLE外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：100 V
最大漏极电流 (ID)：1.1 A最大漏源导通电阻：0.7 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G4
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：4工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：4.4 A
参考标准：AEC-Q101表面贴装：YES
端子面层：MATTE TIN端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

BSP296L6327HTSA1 数据手册

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Rev. 2.1  
BSP296  
SIPMOS Small-Signal-Transistor  
Feature  
Product Summary  
V
100  
0.7  
1.1  
V
Ω
A
DS  
• N-Channel  
R
DS(on)  
• Enhancement mode  
• Logic Level  
I
D
PG-SOT223  
• dv/dt rated  
Pb-free lead plating; RoHS compliant  
•
4
x Qualified according to AEC Q101  
3
2
1
VPS05163  
Type  
Package  
Tape and Reel Information  
L6433: 4000 pcs/reel  
Marking Packaging  
PG-SOT223  
BSP296  
BSP296  
BSP296 Non dry  
Non dry  
BSP296  
PG-SOT223  
L6327: 1000 pcs/reel  
Maximum Ratings, at  
T
j
= 25 °C, unless otherwise specified  
Parameter  
Symbol  
Value  
Unit  
A
Continuous drain current  
I
D
T =25°C  
1.1  
0.88  
4.4  
A
T =70°C  
A
Pulsed drain current  
I
D puls  
T =25°C  
A
6
kV/µs  
V
Reverse diode dv/dt  
dv/dt  
I =1.1A, V =80V, di/dt=200A/µs, T  
S DS jmax  
=150°C  
Gate source voltage  
ESD (JESD22-A114-HBM)  
Power dissipation  
V
P
T
±20  
1B (>500V, <1000V)  
1.79  
GS  
tot  
W
T =25°C  
A
°C  
Operating and storage temperature  
IEC climatic category; DIN IEC 68-1  
,
T
-55... +150  
55/150/56  
j
stg  
Page 1  
2009-08-18  
12345678

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BSP296L6327HTSA1 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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