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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | GREEN, PLASTIC PACKAGE-4 | 针数： | 4 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 7.57 |
| Is Samacsys： | N | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 60 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 1.8 A | 最大漏极电流 (ID)： | 1.8 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.5 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G4 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 4 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 1.8 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 7.2 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | MATTE TIN | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| BSP295E6327 | INFINEON |
功能相似  |
Power Field-Effect Transistor, 1.8A I(D), 50V, 0.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| BSP295 | INFINEON |
功能相似 |
SIPMOS Small-Signal Transistor (N channel Enhancement mode Logic Level) |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BSP295L6327HTSA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 1.8A I(D), 60V, 0.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
|
| BSP296 | INFINEON |
获取价格 |
SIPMOS Small-Signal Transistor (N channel Enhancement mode Logic Level) |
|
| BSP296_09 | INFINEON |
获取价格 |
SIPMOS Small-Signal-Transistor |
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| BSP296E6327 | ROCHESTER |
获取价格 |
暂无描述 |
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| BSP296E6327 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 100V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| BSP296E-6327 | INFINEON |
获取价格 |
1A, 100V, 0.8ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, SOT-223, 4 PIN |
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| BSP296E-6327 | ROCHESTER |
获取价格 |
1A, 100V, 0.8ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, SOT-223, 4 PIN |
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| BSP296L6327 | INFINEON |
获取价格 |
SIPMOSï Small-Signal-Transistor |
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| BSP296L6327HTSA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 1.1A I(D), 100V, 0.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| BSP296L6433 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 1.1A I(D), 100V, 0.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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