5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | SOT-223 |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 | 针数： | 4 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 5.64 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | LOGIC LEVEL COMPATIBLE |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 100 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 1 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 1.1 A | 最大漏源导通电阻： | 0.7 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PDSO-G4 |
| JESD-609代码： | e3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 4 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 1.8 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 4.4 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| BSP296E6327 | INFINEON |
功能相似  |
Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 100V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
|
| ZVN4310GTA | DIODES |
功能相似 |
Power Field-Effect Transistor, 1.67A I(D), 100V, 0.75ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
|
| BSP296L6327 | INFINEON |
功能相似 |
SIPMOSï Small-Signal-Transistor |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BSP296_09 | INFINEON |
获取价格 |
SIPMOS Small-Signal-Transistor |
|
| BSP296E6327 | ROCHESTER |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| BSP296E6327 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 100V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
|
| BSP296E-6327 | INFINEON |
获取价格 |
1A, 100V, 0.8ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, SOT-223, 4 PIN |
|
| BSP296E-6327 | ROCHESTER |
获取价格 |
1A, 100V, 0.8ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, SOT-223, 4 PIN |
|
| BSP296L6327 | INFINEON |
获取价格 |
SIPMOSï Small-Signal-Transistor |
|
| BSP296L6327HTSA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 1.1A I(D), 100V, 0.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| BSP296L6433 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 1.1A I(D), 100V, 0.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| BSP296L6433HTMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 1.1A I(D), 100V, 0.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| BSP296N | INFINEON |
获取价格 |
所有的小型单个 n 通道系列产品均适合汽车应用（2N7002 除外）。 |
|
摩尔斯微电子在美国约书亚树国家公园测试 Wi-Fi HaLow
贸泽上架Tallysman TW5386智能GNSS天线
SL74HC10N：高性能三输入与非门解析
AIC1781A 电池充电控制器深度解析
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
替代型号
如果您发现信息不准确，
