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BSP295L6327HTSA1 PDF预览

BSP295L6327HTSA1

更新时间： 2024-11-04 20:05:03
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 脉冲光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 440K
描述
Power Field-Effect Transistor, 1.8A I(D), 60V, 0.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, PLASTIC PACKAGE-4

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BSP295L6327HTSA1 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
针数：4Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
Factory Lead Time：1 week风险等级：5.62
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：60 V最大漏极电流 (ID)：1.8 A
最大漏源导通电阻：0.5 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G4JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：4
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：7.2 A参考标准：AEC-Q101
表面贴装：YES端子面层：MATTE TIN
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

BSP295L6327HTSA1 数据手册

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Rev 2.3  
BSP295  
SIPMOS Small-Signal-Transistor  
Feature  
Product Summary  
V
60  
0.3  
1.8  
V
DS  
N-Channel  
R
DS(on)  
Enhancement mode  
dv/dt rated  
I
A
D
PG-SOT223  
Pb-free lead plating; RoHS compliant  
•
x Qualified according to AEC Q101  
4
•
Halogen­free according to IEC61249­2­21  
3
2
1
VPS05163  
Marking Packaging  
Type  
Package  
Tape and Reel Information  
H
6327: 1000 pcs/reel  
PG-SOT223  
BSP295 Non dry  
BSP295  
Maximum Ratings, at T = 25 °C, unless otherwise specified  
j
Parameter  
Symbol  
Value  
Unit  
A
Continuous drain current  
I
D
T =25°C  
1.8  
1.44  
7.2  
A
T =70°C  
A
Pulsed drain current  
I
D puls  
T =25°C  
A
Reverse diode dv/dt  
dv/dt  
6
kV/µs  
V
I =1.8A, V =40V, di/dt=200A/µs, T  
DS jmax  
S
=150°C  
Gate source voltage  
V
±20  
1B (>500V, <1000V)  
1.8  
GS  
ESD class (JESD22-A114-HBM)  
Power dissipation  
P
W
tot  
T =25°C  
A
°C  
Operating and storage temperature  
IEC climatic category; DIN IEC 68-1  
T
,
T
-55... +150  
55/150/56  
j
stg  
Page 1  
2012-11-28  
12345678

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与BSP295L6327HTSA1相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BSP296 INFINEON

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 		SIPMOS Small-Signal Transistor (N channel Enhancement mode Logic Level)
BSP296_09 INFINEON

获取价格

 		SIPMOS Small-Signal-Transistor
BSP296E6327 ROCHESTER

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 		暂无描述
BSP296E6327 INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 100V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
BSP296E-6327 INFINEON

获取价格

 		1A, 100V, 0.8ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, SOT-223, 4 PIN
BSP296E-6327 ROCHESTER

获取价格

 		1A, 100V, 0.8ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, SOT-223, 4 PIN
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 		SIPMOS Small-Signal-Transistor
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 		Power Field-Effect Transistor, 1.1A I(D), 100V, 0.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
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