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BSP19AT1

更新时间： 2024-09-15 22:25:39
品牌 Logo 应用领域
摩托罗拉 - MOTOROLA 晶体晶体管开关光电二极管高压
页数 文件大小 规格书
6页 122K
描述
SOT.223 PACKAGE NPN SILICON HIGH VOLTAGE TRANSISTOR SURFACE MOUNT

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BSP19AT1 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Transferred
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4Reach Compliance Code：unknown
HTS代码：8541.21.00.95风险等级：5.73
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：1 A
集电极-发射极最大电压：350 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：40JEDEC-95代码：TO-261AA
JESD-30 代码：R-PDSO-G4JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：4
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：1.5 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：70 MHzVCEsat-Max：0.5 V
Base Number Matches：1

BSP19AT1 数据手册

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by BSP19AT1/D  
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
Motorola Preferred Devices  
This family of NPN Silicon Epitaxial transistors is designed for use as a general  
purpose amplifier and in switching applications. The device is housed in the SOT-223  
package which is designed for medium power surface mount applications.  
SOT–223 PACKAGE  
NPN SILICON  
HIGH VOLTAGE  
TRANSISTOR  
•
•
•
High Voltage: V of 250 and 350 Volts.  
(BR)CEO  
The SOT-223 package can be soldered using wave or reflow.  
SOT-223 package ensures level mounting, resulting in improved thermal  
conduction, and allows visual inspection of soldered joints. The formed  
leads absorb thermal stress during soldering, eliminating the possibility of  
damage to the die  
SURFACE MOUNT  
•
•
Available in 12 mm Tape and Reel  
T1 Configuration – 7 inch/1000 unit reel  
T3 Configuration – 13 inch/4000 unit reel  
COLLECTOR 2,4  
4
1
2
3
BASE  
1
PNP Complement is BSP16T1  
CASE 318E-04, STYLE 1  
TO-261AA  
EMITTER 3  
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
C
Rating  
Collector-Emitter Voltage (Open Base)  
Collector-Base Voltage (Open Emitter)  
Emitter-Base Voltage (Open Collector)  
Collector Current (DC)  
Symbol  
BSP19A  
BSP20A  
250  
Unit  
V
CEO  
V
CBO  
V
EBO  
350  
400  
Vdc  
Vdc  
300  
5.0  
Vdc  
I
C
1000  
mAdc  
(1)  
Total Power Dissipation @ T = 25°C  
P
0.8  
6.4  
Watts  
mW/°C  
A
D
Derate above 25°C  
Storage Temperature Range  
Junction Temperature  
DEVICE MARKING  
SP19A  
T
stg  
–65 to 150  
150  
°C  
°C  
T
J
SP20A  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Thermal Resistance from Junction-to-Ambient  
Symbol  
Max  
Unit  
R
156  
°C/W  
θJA  
Maximum Temperature for Soldering Purposes  
Time in Solder Bath  
T
L
260  
10  
°C  
Sec  
1. Device mounted on a FR-4 glass epoxy printed circuit board using minimum recommended footprint.  
Thermal Clad is a trademark of the Bergquist Company  
Preferred devices are Motorola recommended choices for future use and best overall value.  
REV 1  
Motorola, Inc. 1996  
123456

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BSP19AT1 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
BSP19AT1G ONSEMI

功能相似

 NPN Silicon Expitaxial Transistor
BSP19AT1 ONSEMI

功能相似

 NPN SILICON HIGH VOLTAGE TRANSISTOR SURFACE MOUNT

与BSP19AT1相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BSP19AT1/D ETC

获取价格

 		NPN Silicon Epitaxial Transistor
BSP19AT1G ONSEMI

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 		NPN Silicon Expitaxial Transistor
BSP19AT3 MOTOROLA

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 		1000mA, 350V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-261AA
BSP19-Q NEXPERIA

获取价格

 		NPN high voltage transistorProduction
BSP19-T NXP

获取价格

 		TRANSISTOR 1 A, 350 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, BIP General Purpose Power
BSP19T/R ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | BJT | NPN | 350V V(BR)CEO | 1A I(C) | SOT-223
BSP19TA ZETEX

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 350V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy
BSP19TA DIODES

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 		Power Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 350V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy
BSP19-TAPE-13 NXP

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 		TRANSISTOR 1 A, 350 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, BIP General Purpose Power
BSP19-TAPE-7 NXP

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 		TRANSISTOR 1 A, 350 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, BIP General Purpose Power

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