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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.76 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | LOGIC LEVEL COMPATIBLE | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 60 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 0.35 A | 最大漏源导通电阻： | 6 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 最大反馈电容 (Crss)： | 12 pF |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G4 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 4 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | P-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BSP206-T | NXP |
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TRANSISTOR 0.35 A, 60 V, 6 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power |
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| BSP206T/R | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 350MA I(D) | SOT-223 |
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| BSP206-TAPE-13 | NXP |
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TRANSISTOR 0.35 A, 60 V, 6 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power |
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| BSP206-TAPE-7 | NXP |
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TRANSISTOR 0.35 A, 60 V, 6 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power |
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| BSP206TRL | NXP |
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TRANSISTOR 0.3 A, 60 V, 6 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power |
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| BSP206TRL | YAGEO |
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Power Field-Effect Transistor, 0.3A I(D), 60V, 6ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal- |
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| BSP206TRL13 | NXP |
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TRANSISTOR 0.3 A, 60 V, 6 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power |
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| BSP20A | KEXIN |
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NPN Silicon Epitaxial Transistor |
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| BSP20A | TYSEMI |
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High Voltage: V(BR)CEO of 250 and 350 Volts. Available in 12 mm Tape and Reel |
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| BSP20AT1 | MOTOROLA |
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SOT.223 PACKAGE NPN SILICON HIGH VOLTAGE TRANSISTOR SURFACE MOUNT |
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