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BSP206TRL

更新时间: 2024-01-03 03:46:24
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
12页 67K
描述
TRANSISTOR 0.3 A, 60 V, 6 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power

BSP206TRL 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.76Is Samacsys:N
外壳连接:DRAIN配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:60 V最大漏极电流 (ID):0.3 A
最大漏源导通电阻:6 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码:R-PDSO-G4元件数量:1
端子数量:4工作模式:ENHANCEMENT MODE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE极性/信道类型:P-CHANNEL
认证状态:Not Qualified表面贴装:YES
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

BSP206TRL 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
BSP206  
P-channel enhancement mode  
vertical D-MOS transistor  
April 1995  
Product specification  
File under Discrete Semiconductors, SC13B  

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