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BSP20-T

更新时间: 2024-11-21 03:51:11
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 95K
描述
TRANSISTOR 1 A, 250 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, BIP General Purpose Power

BSP20-T 技术参数

生命周期:Transferred包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.29.00.75风险等级:5.18
外壳连接:COLLECTOR最大集电极电流 (IC):1 A
基于收集器的最大容量:2.5 pF集电极-发射极最大电压:250 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):40
JESD-30 代码:R-PDSO-G4元件数量:1
端子数量:4最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE极性/信道类型:NPN
认证状态:Not Qualified表面贴装:YES
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):70 MHzVCEsat-Max:0.5 V
Base Number Matches:1

BSP20-T 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
dbook, halfpage  
BSP19; BSP20  
NPN high-voltage transistors  
Product data sheet  
1999 Jun 01  
Supersedes data of 1997 Mar 03  

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