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BSP220

更新时间: 2024-11-20 18:03:31
品牌 Logo 应用领域
国巨 - YAGEO 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 144K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.25A I(D), 200V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

BSP220 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.12外壳连接:DRAIN
配置:SINGLE最小漏源击穿电压:200 V
最大漏极电流 (ID):0.25 A最大漏源导通电阻:12 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码:R-PDSO-G4
元件数量:1端子数量:4
工作模式:ENHANCEMENT MODE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
极性/信道类型:P-CHANNEL认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

BSP220 数据手册

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