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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.09 |
| Is Samacsys： | N | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 0.225 A |
| 最大漏源导通电阻： | 15 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G4 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 4 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | P-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 1.5 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Tin (Sn) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BSP225,115 | NXP |
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BSP225 - P-channel vertical D-MOS intermediate level FET SC-73 4-Pin |
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| BSP225135 | NXP |
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TRANSISTOR 225 mA, 250 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, FET General Purpose Small S |
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| BSP225-T | NXP |
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TRANSISTOR Si, SMALL SIGNAL, FET, FET General Purpose Small Signal |
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| BSP225T/R | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR Si, SMALL SIGNAL, FET, FET General Purpose Small Signal |
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| BSP225-TAPE-13 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR GENERAL PURPOSE SMALL SIGNAL, FET General Purpose Small Signal |
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| BSP225-TAPE-7 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR GENERAL PURPOSE SMALL SIGNAL, FET General Purpose Small Signal |
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| BSP225TRL | YAGEO |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 0.25A I(D), 250V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| BSP225TRL13 | YAGEO |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 0.25A I(D), 250V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| BSP225TRL13 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 225 mA, 250 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, FET General Purpose Small S |
|
| BSP230 | NXP |
获取价格 |
P-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor |
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