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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.11 | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 250 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 0.25 A | 最大漏源导通电阻： | 15 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PDSO-G4 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 4 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | P-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BSP225TRL13 | YAGEO |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 0.25A I(D), 250V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| BSP225TRL13 | NXP |
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TRANSISTOR 225 mA, 250 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, FET General Purpose Small S |
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| BSP230 | NXP |
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P-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor |
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| BSP230 (KSP230) | KEXIN |
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P-Channel MOSFET |
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| BSP230/T3 | NXP |
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TRANSISTOR 0.21 A, 300 V, 17 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power |
|
| BSP230115 | NXP |
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TRANSISTOR 210 mA, 300 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, FET General Purpose Small S |
|
| BSP230-T | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 210 mA, 300 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, FET General Purpose Small S |
|
| BSP230T/R | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 300V V(BR)DSS | 210MA I(D) | SOT-223 |
|
| BSP230-TAPE-13 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 0.21 A, 300 V, 17 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power |
|
| BSP230-TAPE-7 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 0.21 A, 300 V, 17 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power |
|
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