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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | PLASTIC, SMD, 4 PIN |
| 针数： | 4 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.18 |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 300 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 0.21 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 0.21 A | 最大漏源导通电阻： | 17 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 最大反馈电容 (Crss)： | 15 pF |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G4 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 4 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | P-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 1.5 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin (Sn) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BSP230 (KSP230) | KEXIN |
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P-Channel MOSFET |
|
| BSP230/T3 | NXP |
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TRANSISTOR 0.21 A, 300 V, 17 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power |
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| BSP230115 | NXP |
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TRANSISTOR 210 mA, 300 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, FET General Purpose Small S |
|
| BSP230-T | NXP |
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TRANSISTOR 210 mA, 300 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, FET General Purpose Small S |
|
| BSP230T/R | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 300V V(BR)DSS | 210MA I(D) | SOT-223 |
|
| BSP230-TAPE-13 | NXP |
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TRANSISTOR 0.21 A, 300 V, 17 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power |
|
| BSP230-TAPE-7 | NXP |
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TRANSISTOR 0.21 A, 300 V, 17 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power |
|
| BSP250 | NXP |
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P-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor |
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| BSP250,115 | NXP |
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BSP250 - P-channel vertical D-MOS intermediate level FET SC-73 4-Pin |
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| BSP250,135 | NXP |
获取价格 |
BSP250 - P-channel vertical D-MOS intermediate level FET SC-73 4-Pin |
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