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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | SC-73 |
| 包装说明： | PLASTIC, SMD, SC-73, 4 PIN | 针数： | 4 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.75 | 风险等级： | 3.38 |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 30 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 3 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 3 A | 最大漏源导通电阻： | 0.4 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PDSO-G4 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 4 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | P-CHANNEL | 功耗环境最大值： | 5 W |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 1.65 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 12 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Tin (Sn) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 最大关闭时间（toff）： | 140 ns |
| 最大开启时间（吨）： | 80 ns | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| FDT458P | FAIRCHILD |
功能相似  |
30V P-Channel PowerTrench MOSFET |
|
| NDT456P | FAIRCHILD |
功能相似 |
P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
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| NDT452AP | FAIRCHILD |
功能相似 |
P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BSP250,115 | NXP |
获取价格 |
BSP250 - P-channel vertical D-MOS intermediate level FET SC-73 4-Pin |
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| BSP250,135 | NXP |
获取价格 |
BSP250 - P-channel vertical D-MOS intermediate level FET SC-73 4-Pin |
|
| BSP250/T3 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 3 A, 30 V, 0.4 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power |
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| BSP250-T | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 3 A, 30 V, 0.4 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power |
|
| BSP250T/R | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 3A I(D) | SOT-223 |
|
| BSP250-TAPE-13 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 3 A, 30 V, 0.25 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power |
|
| BSP250-TAPE-7 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 3 A, 30 V, 0.25 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power |
|
| BSP254 | NXP |
获取价格 |
P-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor |
|
| BSP254A | NXP |
获取价格 |
P-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor |
|
| BSP254A,126 | NXP |
获取价格 |
BSP254A - P-channel vertical D-MOS intermediate level FET TO-92 3-Pin |
|
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