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BSP250

更新时间: 2024-10-29 22:39:39
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
12页 118K
描述
P-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor

BSP250 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Transferred零件包装代码:SC-73
包装说明:PLASTIC, SMD, SC-73, 4 PIN针数:4
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.29.00.75风险等级:3.38
外壳连接:DRAIN配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:30 V最大漏极电流 (Abs) (ID):3 A
最大漏极电流 (ID):3 A最大漏源导通电阻:0.4 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码:R-PDSO-G4
JESD-609代码:e3湿度敏感等级:1
元件数量:1端子数量:4
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:P-CHANNEL功耗环境最大值:5 W
最大功率耗散 (Abs):1.65 W最大脉冲漏极电流 (IDM):12 A
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:YES端子面层:Tin (Sn)
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:30晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON最大关闭时间(toff):140 ns
最大开启时间(吨):80 nsBase Number Matches:1

BSP250 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
BSP250  
P-channel enhancement mode  
vertical D-MOS transistor  
1997 Jun 20  
Product specification  
Supersedes data of November 1994  
File under Discrete Semiconductors, SC13b  

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