NDT452AP

更新时间： 2024-09-28 22:29:07

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飞兆/仙童 - FAIRCHILD		晶体晶体管场效应晶体管开关脉冲光电二极管 PC
页数	文件大小	规格书
6页	95K
描述
P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

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NDT452AP 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	SOT-223
针数：	4	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.95
风险等级：	5.3	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	5 A	最大漏极电流 (ID)：	5 A
最大漏源导通电阻：	0.065 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-G4	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	4	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	3 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	15 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

NDT452AP 数据手册

June 1996

NDT452AP

P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

General Description

Features

Power SOT P-Channel enhancement mode power field

effect transistors are produced using Fairchild's proprietary,

high cell density, DMOS technology. This very high density

process is especially tailored to minimize on-state resistance

and provide superior switching performance. These devices

are particularly suited for low voltage applications such as

notebook computer power management and DC motor

control.

-5A, -30V. R_DS(ON)= 0.065W @ V_GS= -10V

R_DS(ON)= 0.1W @ V_GS= -4.5V.

High density cell design for extremely low R_DS(ON)

High power and current handling capability in a widely used

surface mount package.

________________________________________________________________________________

Absolute Maximum Ratings T_A= 25°C unless otherwise noted

Symbol Parameter

NDT452AP

-30

Units

V_DSS

V_GSS

I_D

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

Drain Current - Continuous

- Pulsed

±20

(Note 1a)

-5

- 15

Maximum Power Dissipation

(Note 1a)

(Note 1b)

P_D

1.3

(Note 1c)

1.1

T_J,T_STG

Operating and Storage Temperature Range

-65 to 150

°C

THERMAL CHARACTERISTICS

Thermal Resistance, Junction-to-Ambient

Thermal Resistance, Junction-to-Case

(Note 1a)

(Note 1)

°C/W

* Order option J23Z for cropped center drain lead.

NDT452AP Rev. B1

12 3 4 5 6

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NDT452AP 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
NDT452AP	ONSEMI	功能相似	P 沟道增强型场效应晶体管 -30V，-5A，65mΩ
BSP250,115	NXP	功能相似	BSP250 - P-channel vertical D-MOS intermediate level FET SC-73 4-Pin
NTF5P03T3G	ONSEMI	功能相似	Power MOSFET 5.2 A, 30 V

与NDT452AP相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
NDT452AP(J23Z)	FAIRCHILD	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| P-CHANNEL \| 30V V(BR)DSS \| 5A I(D) \| SOT-223
NDT452AP/D84Z	TI	获取价格	5A, 30V, 0.065ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-261
NDT452AP/J23Z	TI	获取价格	5A, 30V, 0.065ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
NDT452AP/L99Z	TI	获取价格	5A, 30V, 0.065ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-261
NDT452AP/S62Z	TI	获取价格	5A, 30V, 0.065ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-261
NDT452AP_NL	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 30V, 0.065ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta
NDT452APD84Z	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 30V, 0.065ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta
NDT452APJ23Z	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 30V, 0.065ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta
NDT452APL84Z	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 30V, 0.065ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta
NDT452APL99Z	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 30V, 0.065ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta

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