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NDT452PS62Z

更新时间: 2024-11-05 14:35:03
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
1页 136K
描述
Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 30V, 0.32ohm, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-261

NDT452PS62Z 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.71Is Samacsys:N
最小漏源击穿电压:30 V最大漏极电流 (ID):3 A
最大漏源导通电阻:0.32 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码:TO-261JESD-30 代码:R-PDSO-G4
端子数量:4工作模式:ENHANCEMENT MODE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE极性/信道类型:P-CHANNEL
认证状态:Not Qualified表面贴装:YES
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

NDT452PS62Z 数据手册

  

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