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NDT453ND84Z

更新时间： 2024-09-18 19:53:19
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 开关脉冲光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
10页 226K
描述
Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 30V, 0.028ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET,

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NDT453ND84Z 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.76外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (ID)：8 A最大漏源导通电阻：0.028 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G4
元件数量：1端子数量：4
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：15 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

NDT453ND84Z 数据手册

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September 1996  
NDT453N  
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor  
General Description  
Features  
Power SOT N-Channel enhancement mode power field  
effect transistors are produced using Fairchild's  
proprietary, high cell density, DMOS technology. This very  
high density process is especially tailored to minimize  
on-state resistance and provide superior switching  
performance. These devices are particularly suited for low  
voltage applications such as notebook computer power  
management and other battery powered circuits where fast  
switching, low in-line power loss, and resistance to  
transients are needed.  
8A, 30V. RDS(ON) = 0.028W @ VGS = 10V.  
RDS(ON) = 0.042W @ VGS = 4.5V.  
High density cell design for extremely low RDS(ON)  
.
High power and current handling capability in a widely used  
surface mount package.  
___________________________________________________________________________________________  
D
D
D
S
G
S
G
Absolute Maximum Ratings  
TA= 25°C unless otherwise not  
Symbol Parameter  
NDT453N  
30  
Units  
VDSS  
VGSS  
ID  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
V
V
A
±20  
Drain Current - Continuous  
- Pulsed  
(Note 1a)  
(Note 1a)  
±8  
±15  
Maximum Power Dissipation  
3
W
PD  
(Note 1b)  
(Note 1c)  
1.3  
1.1  
TJ,TSTG  
Operating and Storage Temperature Range  
-65 to 150  
°C  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
(Note 1a)  
(Note 1)  
42  
12  
°C/W  
°C/W  
R
JA  
q
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
R
JC  
q
* Order option J23Z for cropped center drain lead.  
© 1997 Fairchild Semiconductor Corporation  
NDT453N Rev. D1  
1234567...10

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NDT453NJ23Z FAIRCHILD

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 		Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 30V, 0.028ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
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