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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.76 | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 30 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 8 A | 最大漏源导通电阻： | 0.028 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PDSO-G4 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 4 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 15 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| NDT453NL99Z | FAIRCHILD |
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Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 30V, 0.042ohm, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Sem |
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| NDT454 | FAIRCHILD |
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P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
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| NDT454P | FAIRCHILD |
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P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
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| NDT454P | ONSEMI |
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P 沟道增强型场效应晶体管 -30V，-5.9A，50mΩ |
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| NDT454P(J23Z) | FAIRCHILD |
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TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 5.9A I(D) | SOT-223 |
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| NDT454P/D84Z | TI |
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5.9A, 30V, 0.05ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-261 |
|
| NDT454P/J23Z | TI |
获取价格 |
5.9A, 30V, 0.05ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
|
| NDT454P/L99Z | TI |
获取价格 |
5.9A, 30V, 0.05ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-261 |
|
| NDT454P/S62Z | TI |
获取价格 |
5.9A, 30V, 0.05ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-261 |
|
| NDT454P_NL | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 5.9A I(D), 30V, 0.05ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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