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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.74 | Is Samacsys： | N |
| 最小漏源击穿电压： | 30 V | 最大漏极电流 (ID)： | 11.5 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.02 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-261 | JESD-30 代码： | R-PDSO-G4 |
| 端子数量： | 4 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| NDT455NS62Z | FAIRCHILD |
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Power Field-Effect Transistor, 11.5A I(D), 30V, 0.02ohm, N-Channel, Silicon, Metal-oxide S |
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| NDT456 | FAIRCHILD |
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P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
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| NDT456P | FAIRCHILD |
获取价格 |
P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
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| NDT456P | ONSEMI |
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P 沟道增强型场效应晶体管 |
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| NDT456P | UMW |
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种类:P-Channel;漏源电压（Vdss）:-30V;持续漏极电流（Id）（在25°C |
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| NDT456P(J23Z) | FAIRCHILD |
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TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 7.5A I(D) | SOT-223 |
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| NDT456P/S62Z | TI |
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7.5A, 30V, 0.03ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-261 |
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| NDT456P_NL | FAIRCHILD |
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Power Field-Effect Transistor, 7.5A I(D), 30V, 0.03ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| NDT456PD84Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 7.5A I(D), 30V, 0.03ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
|
| NDT456PJ23Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 7.5A I(D), 30V, 0.03ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
|
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