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NDT456PJ23Z

更新时间： 2024-11-18 14:54:07
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 开关脉冲光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 95K
描述
Power Field-Effect Transistor, 7.5A I(D), 30V, 0.03ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET,

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NDT456PJ23Z 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.82外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：7.5 A最大漏极电流 (ID)：7.5 A
最大漏源导通电阻：0.03 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G4JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：4
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：3 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：20 A
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

NDT456PJ23Z 数据手册

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December 1998  
NDT456P  
P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor  
General Description  
Features  
Power SOT P-Channel enhancement mode power field  
effect transistors are produced using Fairchild's  
proprietary, high cell density, DMOS technology. This  
very high density process is especially tailored to  
minimize on-state resistance and provide superior  
switching performance. These devices are particularly  
suited for low voltage applications such as notebook  
computer power management, battery powered circuits,  
and DC motor control.  
-7.5 A, -30 V. RDS(ON) = 0.030 W @ VGS = -10 V  
RDS(ON) = 0.045 W @ VGS = -4.5 V.  
High density cell design for extremely low RDS(ON)  
.
High power and current handling capability in a widely  
used surface mount package.  
______________________________________________________________________________  
D
D
D
S
G
S
G
Absolute Maximum Ratings TA = 25°C unless otherwise noted  
Symbol  
VDSS  
VGSS  
ID  
Parameter  
NDT456P  
-30  
Units  
V
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
±20  
V
Drain Current  
- Continuous  
- Pulsed  
Maximum Power Dissipation  
(Note 1a)  
(Note 1a)  
±7.5  
±20  
A
PD  
3
W
(Note 1b)  
(Note 1c)  
1.3  
1.1  
TJ,TSTG  
Operating and Storage Temperature Range  
-65 to 150  
°C  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient (Note 1a)  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
42  
12  
°C/W  
°C/W  
R
JA  
q
(Note 1)  
R
JC  
q
© 1998 Fairchild Semiconductor Corporation  
NDT456P Rev. F  
1234567

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