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NDT4N65 (KDT4N65)

更新时间： 2024-11-18 18:09:23

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N-Channel MOSFET

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SMD Type

MOSFET

N-Channel Enhancement MOSFET

NDT4N65 (KDT4N65)

Ƶ Features

72ꢇꢀꢈꢀ

8QLWꢍ PP

ƽ VDS (V) = 650V

ꢅꢃꢁꢆꢈ

ꢇꢃꢁꢆꢈ

ꢄꢁꢈꢃ

ꢅꢃꢁꢆ

ꢇꢃꢁꢆ

ꢀꢁꢂꢃ

ꢅꢃꢁꢉ

ꢇꢃꢁꢌ

ƽ I^D= ꢀ.0 A (VGS = 10V)

ƽ R^DS(ON)˘ 3¡ (VGS = 10V)

ꢅꢃꢁꢀ

ꢇꢃꢁꢀ

ꢈꢁꢂꢃ

ꢃꢁꢈꢃ

ꢃꢁꢆꢀꢌ

PD[

ꢅꢃꢁꢆ

ꢇꢃꢁꢆ

ꢃꢁꢉꢃ

ꢅꢃꢁꢆ

ꢇꢃꢁꢆ

ꢀ *$7(

ꢃꢁꢄꢃ

ꢀꢁꢂ

ꢊꢁꢄꢃ

ꢅꢃꢁꢆꢈ

ꢇꢃꢁꢆꢈ

ꢁ '5$,1

ꢂ 6285&(

Ƶ Absolute Maximum Ratings Ta = 25ć

Parameter

Drain-Source Voltage

Symbol

Rating

650

±30

ꢀ.0

Unit

Gate-Source Voltage

Ta=25ć

Continuous Drain Current

ꢁ.ꢀ

Ta=100ć

Pulsed Drain Current

Avalanche Current

( *a)

IDM

4.5

Ta=25ć

Power Dissipation

0.46

210

5.8

Derate above 25ć

W/ć

Single Pulsed Avalanche Energy

Repetitive Avalanche Energy

Peak Diode Recovery dv/dt

( *b)

( *a)

EAS

EAR

dv/dt

( *c)

4.5

V/ns

Thermal Resistance.Junction- to-Ambient

Thermal Resistance.Junction- to-Case

Thermal Resistance.Case-to-Sink Typ

Maximum lead Temperature for soldering purpose,

1/8 from case for 5 seconds

thJA

thJC

thJS

110

2.16

ć/W

300

Junction Temperature

150

Storage Temperature Range

Tstg

-55 to 150

Notes:

a.Repetitive Rating :Pulse width limited by maximum junction temperature

b.IAS=4.5A,VDD=50V,R =25ȍ,Starting T =25ć

c.ISDİ4.5A,di/dtİ200A/us,VDDİBVDSS,Starting T

J=25ć

www.kexin.com.cn

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