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NDT456PL99Z

更新时间: 2024-11-20 14:35:03
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飞兆/仙童 - FAIRCHILD 光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
1页 136K
描述
Power Field-Effect Transistor, 7.5A I(D), 30V, 0.045ohm, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-261

NDT456PL99Z 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.75最小漏源击穿电压:30 V
最大漏极电流 (ID):7.5 A最大漏源导通电阻:0.045 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码:TO-261
JESD-30 代码:R-PDSO-G4端子数量:4
工作模式:ENHANCEMENT MODE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
极性/信道类型:P-CHANNEL认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

NDT456PL99Z 数据手册

  

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