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NDT456PD84Z

更新时间： 2024-01-01 19:59:40

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飞兆/仙童 - FAIRCHILD		开关脉冲光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
10页	243K
描述
Power Field-Effect Transistor, 7.5A I(D), 30V, 0.03ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

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NDT456PD84Z 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.75	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	30 V
最大漏极电流 (ID)：	7.5 A	最大漏源导通电阻：	0.03 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-G4
元件数量：	1	端子数量：	4
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	20 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

NDT456PD84Z 数据手册

December 1998

NDT456P

P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

General Description

Features

Power SOT P-Channel enhancement mode power field

effect transistors are produced using Fairchild's

proprietary, high cell density, DMOS technology. This

very high density process is especially tailored to

minimize on-state resistance and provide superior

switching performance. These devices are particularly

suited for low voltage applications such as notebook

computer power management, battery powered circuits,

and DC motor control.

-7.5 A, -30 V. R_DS(ON)= 0.030 W @ V_GS= -10 V

R_DS(ON)= 0.045 W @ V_GS= -4.5 V.

High density cell design for extremely low R_DS(ON)

High power and current handling capability in a widely

used surface mount package.

______________________________________________________________________________

Absolute Maximum Ratings T_A= 25°C unless otherwise noted

Symbol

V_DSS

V_GSS

I_D

Parameter

NDT456P

-30

Units

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

±20

Drain Current

- Continuous

- Pulsed

Maximum Power Dissipation

(Note 1a)

±7.5

±20

P_D

(Note 1b)

(Note 1c)

1.3

1.1

T_J,T_STG

Operating and Storage Temperature Range

-65 to 150

°C

THERMAL CHARACTERISTICS

Thermal Resistance, Junction-to-Ambient (Note 1a)

Thermal Resistance, Junction-to-Case

°C/W

(Note 1)

NDT456P Rev. F

12 3 4 5 6 7...10

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