NDT455N

更新时间： 2024-01-30 20:00:52

品牌	Logo	应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
页数	文件大小	规格书
10页	229K
描述
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册
替代型号

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

NDT455N 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.73
Is Samacsys：	N	其他特性：	LOGIC LEVEL COMPATIBLE
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	30 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	11.5 A
最大漏极电流 (ID)：	11.5 A	最大漏源导通电阻：	0.015 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-G4
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	4	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	3 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	40 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

NDT455N 数据手册

July 1996

NDT455N

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

General Description

Features

11.5 A, 30 V. R_DS(ON)= 0.015 W @ V_GS= 10 V

These N-Channel logic level enhancement mode power field

effect transistors are produced using Fairchild's proprietary, high

cell density, DMOS technology. This very high density process

is especially tailored to minimize on-state resistance, provide

superior switching performance, and withstand high energy

pulses in the avalanche and commutation modes. These devices

are particularly suited for low voltage applications such as DC

motor control and DC/DC conversion where fast switching, low

in-line power loss, and resistance to transients are needed.

R_DS(ON)= 0.02 W @ V_GS= 4.5 V.

High density cell design for extremely low R_DS(ON)

High power and current handling capability in a widely used

surface mount package.

________________________________________________________________________________

Absolute Maximum Ratings T_A= 25°C unless otherwise noted

Symbol Parameter

NDT455N

Units

V_DSS

V_GSS

I_D

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

Drain Current

- Continuous

- Pulsed

(Note 1a)

± 11.5

± 40

Maximum Power Dissipation

P_D

(Note 1b)

(Note 1c)

1.3

1.1

T_J,T_STG

Operating and Storage Temperature Range

-65 to 150

°C

THERMAL CHARACTERISTICS

Thermal Resistance, Junction-to-Ambient

Thermal Resistance, Junction-to-Case

(Note 1a)

(Note 1)

°C/W

NDT455N Rev.F

12 3 4 5 6 7...10

中文翻译

下载PDF

NDT455N 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
NDT453N	FAIRCHILD	类似代替	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

与NDT455N相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
NDT455N(J23Z)	FAIRCHILD	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 30V V(BR)DSS \| 11.5A I(D) \| SOT-223
NDT455N/L99Z	TI	获取价格	11.5A, 30V, 0.015ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-261
NDT455N/S62Z	TI	获取价格	11.5A, 30V, 0.015ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-261
NDT455ND84Z	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 11.5A I(D), 30V, 0.015ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
NDT455NJ23Z	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 11.5A I(D), 30V, 0.015ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
NDT455NJ23ZD84Z	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 11.5A I(D), 30V, 0.015ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
NDT455NL84Z	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 11.5A I(D), 30V, 0.015ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
NDT455NL99Z	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 11.5A I(D), 30V, 0.02ohm, N-Channel, Silicon, Metal-oxide S
NDT455NS62Z	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 11.5A I(D), 30V, 0.02ohm, N-Channel, Silicon, Metal-oxide S
NDT456	FAIRCHILD	获取价格	P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

NDT455N

NDT455N 技术参数

NDT455N 数据手册

NDT455N 替代型号

与NDT455N相关器件

与NDT455N相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

NDT455N

NDT455N 技术参数

NDT455N 数据手册

NDT455N 替代型号

与NDT455N相关器件

与NDT455N相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？