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NDT455NJ23Z

更新时间： 2024-11-05 14:26:15
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 开关脉冲光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 80K
描述
Power Field-Effect Transistor, 11.5A I(D), 30V, 0.015ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET,

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NDT455NJ23Z 技术参数

是否Rohs认证：不符合生命周期：Obsolete
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.8Is Samacsys：N
其他特性：LOGIC LEVEL COMPATIBLE外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：11.5 A最大漏极电流 (ID)：11.5 A
最大漏源导通电阻：0.015 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G4JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：4
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：3 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：40 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

NDT455NJ23Z 数据手册

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July 1996  
NDT455N  
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor  
General Description  
Features  
11.5 A, 30 V. RDS(ON) = 0.015 W @ VGS = 10 V  
These N-Channel logic level enhancement mode power field  
effect transistors are produced using Fairchild's proprietary, high  
cell density, DMOS technology. This very high density process  
is especially tailored to minimize on-state resistance, provide  
superior switching performance, and withstand high energy  
pulses in the avalanche and commutation modes. These devices  
are particularly suited for low voltage applications such as DC  
motor control and DC/DC conversion where fast switching, low  
in-line power loss, and resistance to transients are needed.  
RDS(ON) = 0.02 W @ VGS = 4.5 V.  
High density cell design for extremely low RDS(ON)  
.
High power and current handling capability in a widely used  
surface mount package.  
________________________________________________________________________________  
D
D
D
S
G
S
G
Absolute Maximum Ratings TA = 25°C unless otherwise noted  
Symbol Parameter  
NDT455N  
Units  
VDSS  
VGSS  
ID  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
30  
20  
V
V
A
Drain Current  
- Continuous  
- Pulsed  
(Note 1a)  
(Note 1a)  
± 11.5  
± 40  
Maximum Power Dissipation  
3
W
PD  
(Note 1b)  
(Note 1c)  
1.3  
1.1  
TJ,TSTG  
Operating and Storage Temperature Range  
-65 to 150  
°C  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
(Note 1a)  
(Note 1)  
42  
12  
°C/W  
°C/W  
R
JA  
q
R
JC  
q
© 1997 Fairchild Semiconductor Corporation  
NDT455N Rev.F  
1234567

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NDT455NJ23ZD84Z FAIRCHILD

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 		Power Field-Effect Transistor, 11.5A I(D), 30V, 0.015ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
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