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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> NDT453N
NDT453N PDF预览

NDT453N

更新时间： 2024-11-04 22:29:07
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
页数 文件大小 规格书
10页 227K
描述
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

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NDT453N 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.79
Is Samacsys：N外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：8 A最大漏极电流 (ID)：8 A
最大漏源导通电阻：0.028 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G4JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：4
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：3 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：15 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

NDT453N 数据手册

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September 1996  
NDT453N  
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor  
General Description  
Features  
Power SOT N-Channel enhancement mode power field  
effect transistors are produced using Fairchild's  
proprietary, high cell density, DMOS technology. This very  
high density process is especially tailored to minimize  
on-state resistance and provide superior switching  
performance. These devices are particularly suited for low  
voltage applications such as notebook computer power  
management and other battery powered circuits where fast  
switching, low in-line power loss, and resistance to  
transients are needed.  
8A, 30V. RDS(ON) = 0.028W @ VGS = 10V.  
RDS(ON) = 0.042W @ VGS = 4.5V.  
High density cell design for extremely low RDS(ON)  
.
High power and current handling capability in a widely used  
surface mount package.  
___________________________________________________________________________________________  
D
D
D
S
G
S
G
Absolute Maximum Ratings  
TA= 25°C unless otherwise not  
Symbol Parameter  
NDT453N  
30  
Units  
VDSS  
VGSS  
ID  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
V
V
A
±20  
Drain Current - Continuous  
- Pulsed  
(Note 1a)  
(Note 1a)  
±8  
±15  
Maximum Power Dissipation  
3
W
PD  
(Note 1b)  
(Note 1c)  
1.3  
1.1  
TJ,TSTG  
Operating and Storage Temperature Range  
-65 to 150  
°C  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
(Note 1a)  
(Note 1)  
42  
12  
°C/W  
°C/W  
R
JA  
q
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
R
JC  
q
* Order option J23Z for cropped center drain lead.  
© 1997 Fairchild Semiconductor Corporation  
NDT453N Rev. D1  
1234567...10

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与NDT453N相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NDT453N(J23Z) FAIRCHILD

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 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 8A I(D) | SOT-223
NDT453N/J23Z TI

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 		8A, 30V, 0.028ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
NDT453N/L99Z TI

获取价格

 		8A, 30V, 0.028ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-261
NDT453ND84Z FAIRCHILD

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 30V, 0.028ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
NDT453NJ23Z FAIRCHILD

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 30V, 0.028ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
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 		Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 30V, 0.028ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
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