NDT453N

更新时间： 2024-09-17 22:29:07

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飞兆/仙童 - FAIRCHILD		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
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10页	227K
描述
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

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NDT453N 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.79
Is Samacsys：	N	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	8 A	最大漏极电流 (ID)：	8 A
最大漏源导通电阻：	0.028 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-G4	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	4
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	3 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	15 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

NDT453N 数据手册

September 1996

NDT453N

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

General Description

Features

Power SOT N-Channel enhancement mode power field

effect transistors are produced using Fairchild's

proprietary, high cell density, DMOS technology. This very

high density process is especially tailored to minimize

on-state resistance and provide superior switching

performance. These devices are particularly suited for low

voltage applications such as notebook computer power

management and other battery powered circuits where fast

switching, low in-line power loss, and resistance to

transients are needed.

8A, 30V. R_DS(ON)= 0.028W @ V_GS= 10V.

R_DS(ON)= 0.042W @ V_GS= 4.5V.

High density cell design for extremely low R_DS(ON)

High power and current handling capability in a widely used

surface mount package.

___________________________________________________________________________________________

Absolute Maximum Ratings

T_A= 25°C unless otherwise not

Symbol Parameter

NDT453N

Units

V_DSS

V_GSS

I_D

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

±20

Drain Current - Continuous

- Pulsed

(Note 1a)

±8

±15

Maximum Power Dissipation

P_D

(Note 1b)

(Note 1c)

1.3

1.1

T_J,T_STG

Operating and Storage Temperature Range

-65 to 150

°C

THERMAL CHARACTERISTICS

Thermal Resistance, Junction-to-Ambient

(Note 1a)

(Note 1)

°C/W

Thermal Resistance, Junction-to-Case

* Order option J23Z for cropped center drain lead.

NDT453N Rev. D1

12 3 4 5 6 7...10

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与NDT453N相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
NDT453N(J23Z)	FAIRCHILD	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 30V V(BR)DSS \| 8A I(D) \| SOT-223
NDT453N/J23Z	TI	获取价格	8A, 30V, 0.028ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
NDT453N/L99Z	TI	获取价格	8A, 30V, 0.028ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-261
NDT453ND84Z	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 30V, 0.028ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
NDT453NJ23Z	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 30V, 0.028ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
NDT453NL84Z	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 30V, 0.028ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
NDT453NL99Z	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 30V, 0.042ohm, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Sem
NDT454	FAIRCHILD	获取价格	P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
NDT454P	FAIRCHILD	获取价格	P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
NDT454P	ONSEMI	获取价格	P 沟道增强型场效应晶体管 -30V，-5.9A，50mΩ

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