NDT454P

更新时间： 2024-02-05 19:45:22

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飞兆/仙童 - FAIRCHILD		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
页数	文件大小	规格书
6页	95K
描述
P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

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NDT454P 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.36
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	30 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	5.9 A
最大漏极电流 (ID)：	5.9 A	最大漏源导通电阻：	0.05 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-G4
元件数量：	1	端子数量：	4
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	3 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	15 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

NDT454P 数据手册

June 1996

NDT454P

P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

General Description

Features

-5.9A, -30V. R_DS(ON)= 0.05W @ V_GS= -10V

Power SOT P-Channel enhancement mode power field effect

transistors are produced using Fairchild's proprietary, high cell

density, DMOS technology. This very high density process is

especially tailored to minimize on-state resistance and provide

superior switching performance. These devices are particularly

suited for low voltage applications such as notebook computer

power management and other battery powered circuits where

fast switching, low in-line power loss, and resistance to

transients are needed.

R_DS(ON)= 0.07W @ V_GS= -6V

R_DS(ON)= 0.09W @ V_GS= -4.5V.

High density cell design for extremely low R_DS(ON).

High power and current handling capability in a widely used

surface mount package.

____________________________________________________________________________________________

Absolute Maximum Ratings T_A= 25°C unless otherwise noted

Symbol Parameter

NDT454P

-30

Units

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

Drain Current - Continuous

- Pulsed

V_DSS

V_GSS

I_D

±20

(Note 1a)

±5.9

±15

P_D

Maximum Power Dissipation

(Note 1a)

(Note 1b)

1.3

1.1

(Note 1c)

Operating and Storage Temperature Range

-65 to 150

°C

T_J,T_STG

THERMAL CHARACTERISTICS

Thermal Resistance, Junction-to-Ambient (Note 1a)

°C/W

Thermal Resistance, Junction-to-Case

(Note 1)

* Order option J23Z for cropped center drain lead.

NDT454P Rev. D2

12 3 4 5 6

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NDT454P 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
NDT452AP	ONSEMI	功能相似	P 沟道增强型场效应晶体管 -30V，-5A，65mΩ
BSP250,115	NXP	功能相似	BSP250 - P-channel vertical D-MOS intermediate level FET SC-73 4-Pin
NTF5P03T3G	ONSEMI	功能相似	Power MOSFET 5.2 A, 30 V

与NDT454P相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
NDT454P(J23Z)	FAIRCHILD	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| P-CHANNEL \| 30V V(BR)DSS \| 5.9A I(D) \| SOT-223
NDT454P/D84Z	TI	获取价格	5.9A, 30V, 0.05ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-261
NDT454P/J23Z	TI	获取价格	5.9A, 30V, 0.05ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
NDT454P/L99Z	TI	获取价格	5.9A, 30V, 0.05ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-261
NDT454P/S62Z	TI	获取价格	5.9A, 30V, 0.05ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-261
NDT454P_NL	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 5.9A I(D), 30V, 0.05ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met
NDT454PD84Z	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 5.9A I(D), 30V, 0.09ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met
NDT454PJ23Z	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 5.9A I(D), 30V, 0.05ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met
NDT454PL84Z	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 5.9A I(D), 30V, 0.05ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met
NDT454PS62Z	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 5.9A I(D), 30V, 0.09ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met

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