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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> NDT454P
NDT454P PDF预览

NDT454P

更新时间： 2024-11-04 22:29:07
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
页数 文件大小 规格书
6页 95K
描述
P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

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NDT454P 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Transferred零件包装代码：SOT-223
针数：4Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.95
风险等级：5.31Is Samacsys：N
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：5.9 A
最大漏极电流 (ID)：5.9 A最大漏源导通电阻：0.05 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G4
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：4
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：3 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：15 A认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

NDT454P 数据手册

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June 1996  
NDT454P  
P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor  
General Description  
Features  
-5.9A, -30V. RDS(ON) = 0.05W @ VGS = -10V  
Power SOT P-Channel enhancement mode power field effect  
transistors are produced using Fairchild's proprietary, high cell  
density, DMOS technology. This very high density process is  
especially tailored to minimize on-state resistance and provide  
superior switching performance. These devices are particularly  
suited for low voltage applications such as notebook computer  
power management and other battery powered circuits where  
fast switching, low in-line power loss, and resistance to  
transients are needed.  
RDS(ON) = 0.07W @ VGS = -6V  
RDS(ON) = 0.09W @ VGS = -4.5V.  
High density cell design for extremely low RDS(ON).  
High power and current handling capability in a widely used  
surface mount package.  
____________________________________________________________________________________________  
D
D
D
S
G
S
G
Absolute Maximum Ratings TA = 25°C unless otherwise noted  
Symbol Parameter  
NDT454P  
-30  
Units  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
Drain Current - Continuous  
- Pulsed  
V
V
A
VDSS  
VGSS  
ID  
±20  
(Note 1a)  
±5.9  
±15  
PD  
Maximum Power Dissipation  
(Note 1a)  
(Note 1b)  
3
W
1.3  
1.1  
(Note 1c)  
Operating and Storage Temperature Range  
-65 to 150  
°C  
TJ,TSTG  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient (Note 1a)  
42  
12  
°C/W  
°C/W  
R
JA  
q
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
(Note 1)  
R
JC  
q
* Order option J23Z for cropped center drain lead.  
NDT454P Rev. D2  
© 1997 Fairchild Semiconductor Corporation  
123456

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NDT454P 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
NDT452AP ONSEMI

功能相似

 P 沟道增强型场效应晶体管 -30V，-5A，65mΩ
BSP250,115 NXP

功能相似

 BSP250 - P-channel vertical D-MOS intermediate level FET SC-73 4-Pin
NTF5P03T3G ONSEMI

功能相似

 Power MOSFET 5.2 A, 30 V

与NDT454P相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NDT454P(J23Z) FAIRCHILD

获取价格

 		TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 5.9A I(D) | SOT-223
NDT454P/D84Z TI

获取价格

 		5.9A, 30V, 0.05ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-261
NDT454P/J23Z TI

获取价格

 		5.9A, 30V, 0.05ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
NDT454P/L99Z TI

获取价格

 		5.9A, 30V, 0.05ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-261
NDT454P/S62Z TI

获取价格

 		5.9A, 30V, 0.05ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-261
NDT454P_NL FAIRCHILD

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 5.9A I(D), 30V, 0.05ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met
NDT454PD84Z FAIRCHILD

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 5.9A I(D), 30V, 0.09ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met
NDT454PJ23Z FAIRCHILD

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 5.9A I(D), 30V, 0.05ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met
NDT454PL84Z FAIRCHILD

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 5.9A I(D), 30V, 0.05ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met
NDT454PS62Z FAIRCHILD

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 5.9A I(D), 30V, 0.09ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met

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