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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| NDT454 | FAIRCHILD |
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P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
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| NDT454P | FAIRCHILD |
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P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
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| NDT454P | ONSEMI |
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P 沟道增强型场效应晶体管 -30V，-5.9A，50mΩ |
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| NDT454P(J23Z) | FAIRCHILD |
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TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 5.9A I(D) | SOT-223 |
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| NDT454P/D84Z | TI |
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5.9A, 30V, 0.05ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-261 |
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| NDT454P/J23Z | TI |
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5.9A, 30V, 0.05ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
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| NDT454P/L99Z | TI |
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5.9A, 30V, 0.05ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-261 |
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| NDT454P/S62Z | TI |
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5.9A, 30V, 0.05ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-261 |
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| NDT454P_NL | FAIRCHILD |
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Power Field-Effect Transistor, 5.9A I(D), 30V, 0.05ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| NDT454PD84Z | FAIRCHILD |
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Power Field-Effect Transistor, 5.9A I(D), 30V, 0.09ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
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