NDT452AP_NL

更新时间： 2024-11-05 13:11:59

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飞兆/仙童 - FAIRCHILD		晶体晶体管场效应晶体管
页数	文件大小	规格书
6页	95K
描述
Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 30V, 0.065ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

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NDT452AP_NL 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.3
Is Samacsys：	N	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	5 A	最大漏极电流 (ID)：	5 A
最大漏源导通电阻：	0.065 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-G4	元件数量：	1
端子数量：	4	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	3 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	15 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

NDT452AP_NL 数据手册

June 1996

NDT452AP

P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

General Description

Features

Power SOT P-Channel enhancement mode power field

effect transistors are produced using Fairchild's proprietary,

high cell density, DMOS technology. This very high density

process is especially tailored to minimize on-state resistance

and provide superior switching performance. These devices

are particularly suited for low voltage applications such as

notebook computer power management and DC motor

control.

-5A, -30V. R_DS(ON)= 0.065W @ V_GS= -10V

R_DS(ON)= 0.1W @ V_GS= -4.5V.

High density cell design for extremely low R_DS(ON)

High power and current handling capability in a widely used

surface mount package.

________________________________________________________________________________

Absolute Maximum Ratings T_A= 25°C unless otherwise noted

Symbol Parameter

NDT452AP

-30

Units

V_DSS

V_GSS

I_D

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

Drain Current - Continuous

- Pulsed

±20

(Note 1a)

-5

- 15

Maximum Power Dissipation

(Note 1a)

(Note 1b)

P_D

1.3

(Note 1c)

1.1

T_J,T_STG

Operating and Storage Temperature Range

-65 to 150

°C

THERMAL CHARACTERISTICS

Thermal Resistance, Junction-to-Ambient

Thermal Resistance, Junction-to-Case

(Note 1a)

(Note 1)

°C/W

* Order option J23Z for cropped center drain lead.

NDT452AP Rev. B1

12 3 4 5 6

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
NDT452APD84Z	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 30V, 0.065ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta
NDT452APJ23Z	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 30V, 0.065ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta
NDT452APL84Z	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 30V, 0.065ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta
NDT452APL99Z	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 30V, 0.065ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta
NDT452P	FAIRCHILD	获取价格	P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
NDT452P/D84Z	TI	获取价格	3A, 30V, 0.18ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-261
NDT452P/J23Z	TI	获取价格	3A, 30V, 0.18ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
NDT452P/L99Z	TI	获取价格	3A, 30V, 0.18ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-261
NDT452P/S62Z	TI	获取价格	3A, 30V, 0.18ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-261
NDT452PD84Z	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 30V, 0.18ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal

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