5秒后页面跳转
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.71 | Is Samacsys： | N |
| 最小漏源击穿电压： | 30 V | 最大漏极电流 (ID)： | 3 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.32 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-261 | JESD-30 代码： | R-PDSO-G4 |
| 端子数量： | 4 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | P-CHANNEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| NDT452PS62Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 30V, 0.32ohm, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semi |
|
| NDT453N | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
|
| NDT453N | TI |
获取价格 |
8A, 30V, 0.028ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-261 |
|
| NDT453N(J23Z) | FAIRCHILD |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 8A I(D) | SOT-223 |
|
| NDT453N/J23Z | TI |
获取价格 |
8A, 30V, 0.028ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
|
| NDT453N/L99Z | TI |
获取价格 |
8A, 30V, 0.028ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-261 |
|
| NDT453ND84Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 30V, 0.028ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
|
| NDT453NJ23Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 30V, 0.028ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
|
| NDT453NL84Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 30V, 0.028ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
|
| NDT453NL99Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 30V, 0.042ohm, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Sem |
|
英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
