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NDT452APL84Z

更新时间: 2024-11-05 14:54:07
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飞兆/仙童 - FAIRCHILD 开关脉冲光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 227K
描述
Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 30V, 0.065ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

NDT452APL84Z 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.71Is Samacsys:N
外壳连接:DRAIN配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:30 V最大漏极电流 (ID):5 A
最大漏源导通电阻:0.065 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码:R-PDSO-G4元件数量:1
端子数量:4工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
极性/信道类型:P-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM):15 A
认证状态:Not Qualified表面贴装:YES
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

NDT452APL84Z 数据手册

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