NDT452P

更新时间： 2024-02-15 11:41:03

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飞兆/仙童 - FAIRCHILD		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
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10页	228K
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P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

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NDT452P 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.69
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	30 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	3 A
最大漏极电流 (ID)：	3 A	最大漏源导通电阻：	0.18 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-G4
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	4	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	3 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	20 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

NDT452P 数据手册

September 1996

NDT452P

P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

General Description

Features

Power SOT P-Channel enhancement mode power field

effect transistors are produced using Fairchild's

proprietary, high cell density, DMOS technology. This very

high density process is especially tailored to minimize

on-state resistance and provide superior switching

performance. These devices are particularly suited for low

voltage applications such as notebook computer power

management and DC motor control.

-3A, -30V. R_DS(ON)= 0.18W @ V_GS= -10V.

High density cell design for extremely low R_DS(ON)

High power and current handling capability in a widely used

surface mount package.

____________________________________________________________________________________________________________

Absolute Maximum Ratings

T_A= 25°C unless otherwise noted

Symbol Parameter

NDT452P

-30

Units

V_DSS

V_GSS

I_D

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

±20

Drain Current

- Continuous

- Pulsed

Maximum Power Dissipation

(Note 1a)

±3

±20

P_D

(Note 1b)

(Note 1c)

1.3

1.1

T_J,T_STG

Operating and Storage Temperature Range

-65 to 150

°C

THERMAL CHARACTERISTICS

Thermal Resistance, Junction-to-Ambient

(Note 1a)

(Note 1)

°C/W

Thermal Resistance, Junction-to-Case

* Order option J23Z for cropped center drain lead.

NDT452P Rev. C3

12 3 4 5 6 7...10

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与NDT452P相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
NDT452P/D84Z	TI	获取价格	3A, 30V, 0.18ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-261
NDT452P/J23Z	TI	获取价格	3A, 30V, 0.18ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
NDT452P/L99Z	TI	获取价格	3A, 30V, 0.18ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-261
NDT452P/S62Z	TI	获取价格	3A, 30V, 0.18ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-261
NDT452PD84Z	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 30V, 0.18ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal
NDT452PJ23ZD84Z	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 30V, 0.18ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal
NDT452PL84Z	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 30V, 0.18ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal
NDT452PL99Z	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 30V, 0.32ohm, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semi
NDT452PS62Z	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 30V, 0.32ohm, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semi
NDT453N	FAIRCHILD	获取价格	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

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