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NDT452PJ23ZD84Z

更新时间： 2024-01-22 06:06:39

品牌	Logo	应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD		开关脉冲光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
10页	227K
描述
Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 30V, 0.18ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SOT-223, 4 PIN

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NDT452PJ23ZD84Z 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SOT-223
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	针数：	4
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.71	Is Samacsys：	N
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	30 V	最大漏极电流 (ID)：	3 A
最大漏源导通电阻：	0.18 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	20 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

NDT452PJ23ZD84Z 数据手册

September 1996

NDT452P

P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

General Description

Features

Power SOT P-Channel enhancement mode power field

effect transistors are produced using Fairchild's

proprietary, high cell density, DMOS technology. This very

high density process is especially tailored to minimize

on-state resistance and provide superior switching

performance. These devices are particularly suited for low

voltage applications such as notebook computer power

management and DC motor control.

-3A, -30V. R_DS(ON)= 0.18W @ V_GS= -10V.

High density cell design for extremely low R_DS(ON)

High power and current handling capability in a widely used

surface mount package.

____________________________________________________________________________________________________________

Absolute Maximum Ratings

T_A= 25°C unless otherwise noted

Symbol Parameter

NDT452P

-30

Units

V_DSS

V_GSS

I_D

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

±20

Drain Current

- Continuous

- Pulsed

Maximum Power Dissipation

(Note 1a)

±3

±20

P_D

(Note 1b)

(Note 1c)

1.3

1.1

T_J,T_STG

Operating and Storage Temperature Range

-65 to 150

°C

THERMAL CHARACTERISTICS

Thermal Resistance, Junction-to-Ambient

(Note 1a)

(Note 1)

°C/W

Thermal Resistance, Junction-to-Case

* Order option J23Z for cropped center drain lead.

NDT452P Rev. C3

12 3 4 5 6 7...10

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
NDT452PL84Z	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 30V, 0.18ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal
NDT452PL99Z	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 30V, 0.32ohm, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semi
NDT452PS62Z	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 30V, 0.32ohm, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semi
NDT453N	FAIRCHILD	获取价格	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
NDT453N	TI	获取价格	8A, 30V, 0.028ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-261
NDT453N(J23Z)	FAIRCHILD	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 30V V(BR)DSS \| 8A I(D) \| SOT-223
NDT453N/J23Z	TI	获取价格	8A, 30V, 0.028ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
NDT453N/L99Z	TI	获取价格	8A, 30V, 0.028ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-261
NDT453ND84Z	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 30V, 0.028ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
NDT453NJ23Z	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 30V, 0.028ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta

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