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NDT452PJ23ZD84Z

更新时间： 2024-11-05 14:54:07
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 开关脉冲光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
10页 227K
描述
Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 30V, 0.18ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SOT-223, 4 PIN

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NDT452PJ23ZD84Z 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：SOT-223
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3针数：4
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.71Is Samacsys：N
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (ID)：3 A
最大漏源导通电阻：0.18 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：P-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：20 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

NDT452PJ23ZD84Z 数据手册

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September 1996  
NDT452P  
P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor  
General Description  
Features  
Power SOT P-Channel enhancement mode power field  
effect transistors are produced using Fairchild's  
proprietary, high cell density, DMOS technology. This very  
high density process is especially tailored to minimize  
on-state resistance and provide superior switching  
performance. These devices are particularly suited for low  
voltage applications such as notebook computer power  
management and DC motor control.  
-3A, -30V. RDS(ON) = 0.18W @ VGS = -10V.  
High density cell design for extremely low RDS(ON)  
.
High power and current handling capability in a widely used  
surface mount package.  
____________________________________________________________________________________________________________  
D
D
D
S
S
G
G
Absolute Maximum Ratings  
TA = 25°C unless otherwise noted  
Symbol Parameter  
NDT452P  
-30  
Units  
VDSS  
VGSS  
ID  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
V
V
A
±20  
Drain Current  
- Continuous  
- Pulsed  
Maximum Power Dissipation  
(Note 1a)  
(Note 1a)  
±3  
±20  
3
W
PD  
(Note 1b)  
(Note 1c)  
1.3  
1.1  
TJ,TSTG  
Operating and Storage Temperature Range  
-65 to 150  
°C  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
(Note 1a)  
(Note 1)  
42  
12  
°C/W  
°C/W  
R
JA  
q
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
R
JC  
q
* Order option J23Z for cropped center drain lead.  
© 1997 Fairchild Semiconductor Corporation  
NDT452P Rev. C3  
1234567...10

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