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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BSP255 | NXP |
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P-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor |
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| BSP255115 | NXP |
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TRANSISTOR 0.325 A, 300 V, 17 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power |
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| BSP255135 | NXP |
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TRANSISTOR 0.325 A, 300 V, 17 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power |
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| BSP-255310 | MINI |
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Band Stop Filter |
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| BSP-255310+ | MINI |
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Band Stop Filter |
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| BSP255T/R | NXP |
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TRANSISTOR 0.325 A, 300 V, 17 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power |
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| BSP280 | INFINEON |
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IGBT Transistor (N channel MOS input voltage-controlled High switch speed Very low tail cu |
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| BSP295 | INFINEON |
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SIPMOS Small-Signal Transistor (N channel Enhancement mode Logic Level) |
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| BSP295_07 | INFINEON |
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SIPMOS Small-Signal-Transistor |
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| BSP295E6327 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 1.8A I(D), 50V, 0.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
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