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BSP255

更新时间: 2024-09-12 22:39:39
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 晶体晶体管功率场效应晶体管
页数 文件大小 规格书
10页 68K
描述
P-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor

BSP255 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99风险等级:5.8
Is Samacsys:N其他特性:LOGIC LEVEL COMPATIBLE
外壳连接:DRAIN配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:300 V最大漏极电流 (Abs) (ID):0.325 A
最大漏极电流 (ID):0.325 A最大漏源导通电阻:17 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码:R-PDSO-G4
元件数量:1端子数量:4
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE极性/信道类型:P-CHANNEL
功耗环境最大值:4 W最大功率耗散 (Abs):4 W
最大脉冲漏极电流 (IDM):1.3 A认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:YES
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

BSP255 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
BSP255  
P-channel enhancement mode  
vertical D-MOS transistor  
1996 Aug 05  
Product specification  
Supersedes data of 1996 Jun 13  
File under Discrete Semiconductors, SC07  

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