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BSP295H6327

更新时间： 2024-11-01 19:51:55
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 脉冲光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 442K
描述
Power Field-Effect Transistor, 1.8A I(D), 60V, 0.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, PLASTIC PACKAGE-4

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BSP295H6327 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4针数：4
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.61
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：60 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：1.8 A
最大漏极电流 (ID)：1.8 A最大漏源导通电阻：0.5 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G4
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：4工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：1.8 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：7.2 A
参考标准：AEC-Q101子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：MATTE TIN
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

BSP295H6327 数据手册

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Rev 2.3  
BSP295  
SIPMOS Small-Signal-Transistor  
Feature  
Product Summary  
V
60  
0.3  
1.8  
V
DS  
N-Channel  
R
DS(on)  
Enhancement mode  
dv/dt rated  
I
A
D
PG-SOT223  
Pb-free lead plating; RoHS compliant  
•
x Qualified according to AEC Q101  
4
•
Halogen­free according to IEC61249­2­21  
3
2
1
VPS05163  
Marking Packaging  
Type  
Package  
Tape and Reel Information  
H
6327: 1000 pcs/reel  
PG-SOT223  
BSP295 Non dry  
BSP295  
Maximum Ratings, at T = 25 °C, unless otherwise specified  
j
Parameter  
Symbol  
Value  
Unit  
A
Continuous drain current  
I
D
T =25°C  
1.8  
1.44  
7.2  
A
T =70°C  
A
Pulsed drain current  
I
D puls  
T =25°C  
A
Reverse diode dv/dt  
dv/dt  
6
kV/µs  
V
I =1.8A, V =40V, di/dt=200A/µs, T  
DS jmax  
S
=150°C  
Gate source voltage  
V
±20  
1B (>500V, <1000V)  
1.8  
GS  
ESD class (JESD22-A114-HBM)  
Power dissipation  
P
W
tot  
T =25°C  
A
°C  
Operating and storage temperature  
IEC climatic category; DIN IEC 68-1  
T
,
T
-55... +150  
55/150/56  
j
stg  
Page 1  
2012-11-28  
12345678

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BSP295H6327XTSA1 INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 1.8A I(D), 60V, 0.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
BSP295L6327 INFINEON

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