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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | SOT-223 |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 | 针数： | 4 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 5.12 |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 240 V | 最大漏极电流 (ID)： | 0.225 A |
| 最大漏源导通电阻： | 20 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| 最大反馈电容 (Crss)： | 15 pF | JESD-30 代码： | R-PDSO-G4 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 4 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | P-CHANNEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BSP220-T | NXP |
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暂无描述 |
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| BSP220T/R | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 225MA I(D) | SOT-223 |
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| BSP220-TAPE-13 | NXP |
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TRANSISTOR Si, SMALL SIGNAL, FET, MINIATURE PACKAGE-4, FET General Purpose Small Signal |
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| BSP220-TAPE-7 | NXP |
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TRANSISTOR Si, SMALL SIGNAL, FET, FET General Purpose Small Signal |
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| BSP220TRL | NXP |
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TRANSISTOR 225 mA, 200 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, FET General Purpose Small S |
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| BSP220TRL13 | NXP |
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TRANSISTOR 225 mA, 200 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, FET General Purpose Small S |
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| BSP220TRL13 | YAGEO |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 0.25A I(D), 200V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| BSP223 | INFINEON |
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SIPMOS Small-Signal Transistor |
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| BSP225 | YAGEO |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| BSP225 | NXP |
获取价格 |
P-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor |
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