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BSP19AT1

更新时间： 2024-11-19 22:25:39
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安森美 - ONSEMI 晶体晶体管开关光电二极管高压
页数 文件大小 规格书
6页 87K
描述
NPN SILICON HIGH VOLTAGE TRANSISTOR SURFACE MOUNT

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BSP19AT1 技术参数

是否无铅： 含铅生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-261AA包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
针数：4Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.95
Factory Lead Time：1 week风险等级：7.87
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：0.1 A
集电极-发射极最大电压：350 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：40JEDEC-95代码：TO-261AA
JESD-30 代码：R-PDSO-G4JESD-609代码：e0
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：4最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：240
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：1.5 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：70 MHz

BSP19AT1 数据手册

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by BSP19AT1/D  
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
Motorola Preferred Device  
This family of NPN Silicon Epitaxial transistors is designed for use as a general  
purpose amplifier and in switching applications. The device is housed in the SOT-223  
package which is designed for medium power surface mount applications.  
SOT–223 PACKAGE  
NPN SILICON  
HIGH VOLTAGE  
TRANSISTOR  
•
•
•
High Voltage: V  
of 250 and 350 Volts.  
(BR)CEO  
The SOT-223 package can be soldered using wave or reflow.  
SOT-223 package ensures level mounting, resulting in improved thermal  
conduction, and allows visual inspection of soldered joints. The formed  
leads absorb thermal stress during soldering, eliminating the possibility of  
damage to the die  
SURFACE MOUNT  
•
•
Available in 12 mm Tape and Reel  
T1 Configuration – 7 inch/1000 unit reel  
T3 Configuration – 13 inch/4000 unit reel  
COLLECTOR 2,4  
4
1
2
3
BASE  
1
PNP Complement is BSP16T1  
CASE 318E-04, STYLE 1  
TO-261AA  
EMITTER 3  
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
C
Rating  
Collector-Emitter Voltage (Open Base)  
Collector-Base Voltage (Open Emitter)  
Emitter-Base Voltage (Open Collector)  
Collector Current (DC)  
Symbol  
Value  
350  
Unit  
V
CEO  
V
CBO  
V
EBO  
Vdc  
Vdc  
400  
5.0  
Vdc  
I
C
1000  
mAdc  
(1)  
Total Power Dissipation @ T = 25°C  
P
0.8  
6.4  
Watts  
mW/°C  
A
D
Derate above 25°C  
Storage Temperature Range  
Junction Temperature  
DEVICE MARKING  
SP19A  
T
stg  
–65 to 150  
150  
°C  
°C  
T
J
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Thermal Resistance from Junction-to-Ambient  
Symbol  
Max  
Unit  
R
156  
°C/W  
θJA  
Maximum Temperature for Soldering Purposes  
Time in Solder Bath  
T
L
260  
10  
°C  
Sec  
1. Device mounted on a FR-4 glass epoxy printed circuit board using minimum recommended footprint.  
Thermal Clad is a trademark of the Bergquist Company  
Preferred devices are Motorola recommended choices for future use and best overall value.  
REV 2  
Motorola, Inc. 1997  
123456

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BSP19AT1 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
BSP19AT1G ONSEMI

功能相似

 NPN Silicon Expitaxial Transistor
BSP19AT1 MOTOROLA

功能相似

 SOT.223 PACKAGE NPN SILICON HIGH VOLTAGE TRANSISTOR SURFACE MOUNT

与BSP19AT1相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BSP19AT1/D ETC

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 		NPN Silicon Epitaxial Transistor
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 		1000mA, 350V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-261AA
BSP19-Q NEXPERIA

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 		NPN high voltage transistorProduction
BSP19-T NXP

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 		TRANSISTOR 1 A, 350 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, BIP General Purpose Power
BSP19T/R ETC

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 		TRANSISTOR | BJT | NPN | 350V V(BR)CEO | 1A I(C) | SOT-223
BSP19TA ZETEX

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 		Power Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 350V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy
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