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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.17 | 其他特性： | HIGH VOLTAGE |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 1 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 250 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 40 | JESD-30 代码： | R-PDSO-G4 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 4 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | NPN |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 50 MHz |
| VCEsat-Max： | 0.5 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BSP204 | NXP |
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P-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor |
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| BSP204A | NXP |
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P-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor |
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| BSP205 | NXP |
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P-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor |
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| BSP205135 | NXP |
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TRANSISTOR 275 mA, 60 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, FET General Purpose Small Si |
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| BSP205-T | NXP |
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TRANSISTOR 0.275 A, 60 V, 10 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power |
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| BSP205T/R | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 275MA I(D) | SOT-223 |
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| BSP205-TAPE-13 | NXP |
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TRANSISTOR 0.275 A, 60 V, 10 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power |
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| BSP205-TAPE-7 | NXP |
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TRANSISTOR 0.275 A, 60 V, 10 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power |
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| BSP205TRL | NXP |
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TRANSISTOR 0.25 A, 50 V, 10 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power |
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| BSP205TRL13 | YAGEO |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 0.25A I(D), 50V, 10ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta |
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