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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.75 | 风险等级： | 5.75 |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 60 V | 最大漏极电流 (ID)： | 0.275 A |
| 最大漏源导通电阻： | 10 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| 最大反馈电容 (Crss)： | 10 pF | JESD-30 代码： | R-PDSO-G4 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 4 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | P-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 0.55 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 最大关闭时间（toff）： | 15 ns |
| 最大开启时间（吨）： | 6 ns | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BSP205T/R | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 275MA I(D) | SOT-223 |
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| BSP205-TAPE-13 | NXP |
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TRANSISTOR 0.275 A, 60 V, 10 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power |
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| BSP205-TAPE-7 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 0.275 A, 60 V, 10 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power |
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| BSP205TRL | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 0.25 A, 50 V, 10 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power |
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| BSP205TRL13 | YAGEO |
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Power Field-Effect Transistor, 0.25A I(D), 50V, 10ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta |
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| BSP206 | NXP |
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P-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor |
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| BSP206 | YAGEO |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 0.3A I(D), 60V, 6ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal- |
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| BSP206135 | NXP |
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TRANSISTOR 350 mA, 60 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, FET General Purpose Small Si |
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| BSP206-T | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 0.35 A, 60 V, 6 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power |
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| BSP206T/R | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 350MA I(D) | SOT-223 |
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