5秒后页面跳转
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BSP205TRL | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 0.25 A, 50 V, 10 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power |
|
| BSP205TRL13 | YAGEO |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 0.25A I(D), 50V, 10ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta |
|
| BSP206 | NXP |
获取价格 |
P-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor |
|
| BSP206 | YAGEO |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 0.3A I(D), 60V, 6ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal- |
|
| BSP206135 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 350 mA, 60 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, FET General Purpose Small Si |
|
| BSP206-T | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 0.35 A, 60 V, 6 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power |
|
| BSP206T/R | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 350MA I(D) | SOT-223 |
|
| BSP206-TAPE-13 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 0.35 A, 60 V, 6 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power |
|
| BSP206-TAPE-7 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 0.35 A, 60 V, 6 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power |
|
| BSP206TRL | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 0.3 A, 60 V, 6 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
数据手册
如果您发现信息不准确，
