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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.75 | Is Samacsys： | N |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 50 V | 最大漏极电流 (ID)： | 0.25 A |
| 最大漏源导通电阻： | 10 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G4 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 4 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | P-CHANNEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BSP206 | NXP |
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P-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor |
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| BSP206 | YAGEO |
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Power Field-Effect Transistor, 0.3A I(D), 60V, 6ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal- |
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| BSP206135 | NXP |
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TRANSISTOR 350 mA, 60 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, FET General Purpose Small Si |
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| BSP206-T | NXP |
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TRANSISTOR 0.35 A, 60 V, 6 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power |
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| BSP206T/R | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 350MA I(D) | SOT-223 |
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| BSP206-TAPE-13 | NXP |
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TRANSISTOR 0.35 A, 60 V, 6 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power |
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| BSP206-TAPE-7 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 0.35 A, 60 V, 6 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power |
|
| BSP206TRL | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 0.3 A, 60 V, 6 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power |
|
| BSP206TRL | YAGEO |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 0.3A I(D), 60V, 6ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal- |
|
| BSP206TRL13 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 0.3 A, 60 V, 6 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power |
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