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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BSP205 | NXP |
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P-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor |
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| BSP205135 | NXP |
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TRANSISTOR 275 mA, 60 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, FET General Purpose Small Si |
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| BSP205-T | NXP |
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TRANSISTOR 0.275 A, 60 V, 10 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power |
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| BSP205T/R | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 275MA I(D) | SOT-223 |
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| BSP205-TAPE-13 | NXP |
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TRANSISTOR 0.275 A, 60 V, 10 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power |
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| BSP205-TAPE-7 | NXP |
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TRANSISTOR 0.275 A, 60 V, 10 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power |
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| BSP205TRL | NXP |
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TRANSISTOR 0.25 A, 50 V, 10 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power |
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| BSP205TRL13 | YAGEO |
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Power Field-Effect Transistor, 0.25A I(D), 50V, 10ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta |
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| BSP206 | NXP |
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P-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor |
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| BSP206 | YAGEO |
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Power Field-Effect Transistor, 0.3A I(D), 60V, 6ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal- |
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