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| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.75 | 风险等级： | 5.3 |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 1 A |
| 基于收集器的最大容量： | 2.5 pF | 集电极-发射极最大电压： | 350 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 40 |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G4 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 4 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | NPN |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 70 MHz | VCEsat-Max： | 0.5 V |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BSP19T/R | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 350V V(BR)CEO | 1A I(C) | SOT-223 |
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| BSP19TA | ZETEX |
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Power Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 350V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy |
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| BSP19TA | DIODES |
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Power Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 350V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy |
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| BSP19-TAPE-13 | NXP |
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TRANSISTOR 1 A, 350 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, BIP General Purpose Power |
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| BSP19-TAPE-7 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 1 A, 350 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, BIP General Purpose Power |
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| BSP19TC | ZETEX |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 350V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy |
|
| BSP19TRL | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 1000 mA, 350 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Sig |
|
| BSP19TRL13 | YAGEO |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 350V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon |
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| BSP20 | ZETEX |
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SOT223 NPN SILICON PLANAR HIGH VOLTAGE TRANSISTOR |
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| BSP20 | NXP |
获取价格 |
NPN high-voltage transistors |
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