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BSP19TA

更新时间： 2024-11-20 21:12:35
品牌 Logo 应用领域
美台 - DIODES 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
1页 46K
描述
Power Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 350V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin

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BSP19TA 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.75风险等级：5.11
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：0.5 A
集电极-发射极最大电压：350 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：50JESD-30 代码：R-PDSO-G4
元件数量：1端子数量：4
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：NPN
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：70 MHzBase Number Matches：1

BSP19TA 数据手册

  
SOT223 NPN SILICON PLANAR  
HIGH VOLTAGE TRANSISTOR  
ISSUE 3 – FEBRUARY 1996  
BSP19  
FEATURES  
*
*
High VCEO – 350V  
C
Low saturation voltage  
COMPLEMENTARY TYPE –  
PARTMARKING DETAIL –  
BSP16  
BSP19  
E
C
B
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.  
PARAMETER  
SYMBOL  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
ICM  
VALUE  
400  
350  
5
UNIT  
Collector-Base Voltage  
V
V
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
V
Peak Pulse Current  
1
A
Continuous Collector Current  
Power Dissipation at Tamb=25°C  
IC  
0.5  
2
A
Ptot  
W
°C  
Operating and Storage Temperature  
Range  
Tj:Tstg  
-55 to +150  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T  
= 25°C unless otherwise stated).  
amb  
PARAMETER  
SYMBOL MIN.  
V(BR)CBO 400  
TYP.  
MAX. UNIT CONDITIONS.  
Collector-Base  
Breakdown Voltage  
V
IC=100µA  
IC=10mA*  
IE=100µA  
VCB=300V  
VEB=3V  
Collector-Emitter  
Breakdown Voltage  
V(BR)CEO  
V(BR)EBO  
ICBO  
350  
5
V
Emitter-Base  
Breakdown Voltage  
V
Collector Cut-Off  
Current  
20  
nA  
Emitter Cut-Off Current IEBO  
0.1  
0.5  
µA  
Collector-Emitter  
Saturation Voltage  
VCE(sat)  
V
IC=50mA, IB=4mA*  
Base-Emitter  
Saturation Voltage  
VBE(sat)  
1.3  
V
IC=50mA, IB=4mA*  
Static Forward Current hFE  
Transfer Ratio  
40  
50  
IC=20mA, VCE=5V*  
IC=100mA, VCE=5V*  
Transition Frequency  
fT  
70  
MHz  
pF  
IC=10mA, VCE=10V  
f = 20MHz  
Output Capacitance  
Cobo  
10  
VCB=20V, f=1MHz  
*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300µs. Duty cycle ≤2%  
Spice parameter data is available upon request for this device  
For typical characteristics graphs see FZT658 datasheet.  
3 - 60  
1

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BSP19TA 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
FZT593TC DIODES

类似代替

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