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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Transferred | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.29.00.75 |
| 风险等级： | 5.28 | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 1 A | 基于收集器的最大容量： | 2.5 pF |
| 集电极-发射极最大电压： | 350 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 40 | JESD-30 代码： | R-PDSO-G4 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 4 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | NPN |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 1.5 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin (Sn) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 70 MHz | VCEsat-Max： | 0.5 V |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| BSP19TA | DIODES |
功能相似  |
Power Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 350V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BSP19,115 | NXP |
获取价格 |
BSP19_20 - NPN high-voltage transistors SC-73 4-Pin |
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| BSP192 | YAGEO |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.15A I(D), 200V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
|
| BSP192E-6327 | INFINEON |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.15A I(D), 240V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| BSP192TRL | YAGEO |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.15A I(D), 200V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
|
| BSP192TRL13 | YAGEO |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.15A I(D), 200V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
|
| BSP19A | KEXIN |
获取价格 |
NPN Silicon Epitaxial Transistor |
|
| BSP19A | TYSEMI |
获取价格 |
High Voltage: V(BR)CEO of 250 and 350 Volts. Available in 12 mm Tape and Reel |
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| BSP19AT1 | ONSEMI |
获取价格 |
NPN SILICON HIGH VOLTAGE TRANSISTOR SURFACE MOUNT |
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| BSP19AT1 | MOTOROLA |
获取价格 |
SOT.223 PACKAGE NPN SILICON HIGH VOLTAGE TRANSISTOR SURFACE MOUNT |
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| BSP19AT1/D | ETC |
获取价格 |
NPN Silicon Epitaxial Transistor |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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