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BSP19,115

更新时间: 2024-11-25 03:14:23
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恩智浦 - NXP /
页数 文件大小 规格书
6页 95K
描述
BSP19_20 - NPN high-voltage transistors SC-73 4-Pin

BSP19,115 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Transferred
零件包装代码:SC-73包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
针数:4Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.29.00.75
风险等级:7.18外壳连接:COLLECTOR
最大集电极电流 (IC):1 A基于收集器的最大容量:2.5 pF
集电极-发射极最大电压:350 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):40JESD-30 代码:R-PDSO-G4
JESD-609代码:e3湿度敏感等级:1
元件数量:1端子数量:4
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:NPN
最大功率耗散 (Abs):1.5 W认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:YES
端子面层:Tin (Sn)端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):70 MHzVCEsat-Max:0.5 V

BSP19,115 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
dbook, halfpage  
BSP19; BSP20  
NPN high-voltage transistors  
Product data sheet  
1999 Jun 01  
Supersedes data of 1997 Mar 03  

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