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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.76 | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE | 最小漏源击穿电压： | 200 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 0.15 A | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-F3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | P-CHANNEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | FLAT | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BSP192TRL13 | YAGEO |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 0.15A I(D), 200V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| BSP19A | KEXIN |
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NPN Silicon Epitaxial Transistor |
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| BSP19A | TYSEMI |
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High Voltage: V(BR)CEO of 250 and 350 Volts. Available in 12 mm Tape and Reel |
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| BSP19AT1 | ONSEMI |
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NPN SILICON HIGH VOLTAGE TRANSISTOR SURFACE MOUNT |
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| BSP19AT1 | MOTOROLA |
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SOT.223 PACKAGE NPN SILICON HIGH VOLTAGE TRANSISTOR SURFACE MOUNT |
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| BSP19AT1/D | ETC |
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NPN Silicon Epitaxial Transistor |
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| BSP19AT1G | ONSEMI |
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NPN Silicon Expitaxial Transistor |
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| BSP19AT3 | MOTOROLA |
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1000mA, 350V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-261AA |
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| BSP19-Q | NEXPERIA |
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NPN high voltage transistorProduction |
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| BSP19-T | NXP |
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TRANSISTOR 1 A, 350 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, BIP General Purpose Power |
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