Datasheet > BSP171E6327

BSP171E6327

更新时间： 2024-11-09 21:15:11

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		开关脉冲光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
8页	101K
描述
Power Field-Effect Transistor, 1.7A I(D), 60V, 0.35ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SOT-223, 4 PIN

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

BSP171E6327 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SOT-223
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4	针数：	4
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.28
其他特性：	AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE	雪崩能效等级（Eas）：	8 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	60 V	最大漏极电流 (ID)：	1.7 A
最大漏源导通电阻：	0.35 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-G4	元件数量：	1
端子数量：	4	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	6.8 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

BSP171E6327 数据手册

BSP 171

SIPMOS Small-Signal Transistor

• P channel

• Enhancement mode

• Logic Level

• Avalanche rated

• V

= -0.8...-2.0 V

GS(th)

Pin 1 Pin 2 Pin 3 Pin 4

Type

DS(on)

Package

Marking

BSP 171

-60 V

-1.7 A

0.35 Ω

SOT-223

BSP 171

Type

Ordering Code

Tape and Reel Information

BSP 171

Q67000-S224

E6327

Maximum Ratings

Parameter

Symbol

Values

-1.7

Unit

Continuous drain current

T = 24 °C

DC drain current, pulsed

Dpuls

T = 25 °C

-6.8

Avalanche energy, single pulse

Ω

I = -1.7 A, V = -25 V, R = 25

L = 3.23 mH, T = 25 °C

Gate source voltage

Power dissipation

± 20

tot

T = 25 °C

1.8

Semiconductor Group

18/02/1997

12 3 4 5 6 7 8

中文翻译

下载PDF

与BSP171E6327相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BSP171P	INFINEON	获取价格	SIPMOS Power Transistor (P-Channel Enhancement mode Avalanche rated Logic Level dv/dt rate
BSP171P_07	INFINEON	获取价格	SIPMOS Small-Signal-Transistor
BSP171PE6327	INFINEON	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 1.9A I(D), 60V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal
BSP171PH6327XTSA1	INFINEON	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 1.9A I(D), 60V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal
BSP171PL6327	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 1.9A I(D), 60V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta
BSP171P-L6327	INFINEON	获取价格	SIPMOS Small-Signal-Transistor
BSP171PL6327HTSA1	INFINEON	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 1.9A I(D), 60V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal
BSP179	INFINEON	获取价格	SIPMOSÂ® Small-Signal-Transistor
BSP179H6327	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor
BSP179H6906	INFINEON	获取价格	SIPMOSÂ® Small-Signal-Transistor